L'atelier [EN COURS] ADDRAM 4096 Ko Création d'une carte AddRam 4096 Ko
Mode "J'dis p't'être des conneries, mais je crois que 
" [ON] 
Sur le dessin d'implantation, tu verras que:
[D2] entre [LS 04 Pin 12] et [LS 04 Pin 11] empêche le courant de remonter de Pin 11 vers Pin 12.
Parallèlement:
[R2] entre [LS 04 Pin 12] et [LS 04 Pin 11] permet au courant de remonter de Pin 11 vers Pin 12, mais en quantité limité.
En plus de cela:
[C2] Permet de maintenir une tension continue sur [LS 04 Pin 11] et en quantité limité sur [LS 04 Pin 12].
Le principe semble être identique avec le groupe [D1], [R1] et [C1].
[LS 04 Pin 9] et [LS 04 Pin 13] étant reliées au BUS MSX [Pin 4 SLTSL], il semblerait donc que le montage D1/R1/C1 et D2/R2/C2 soit la pour protéger SLTSL de remontés gastriques qui pourraient venir de [CAS#] et [RAS#] sur les DRAMS au travers de [LS 08].
Mode "J'dis p't'être des conneries, mais je crois que " [OFF] 
Edité par
igal
Le 15/05/2012 à 16h08
" [ON] Sur le dessin d'implantation, tu verras que:
[D2] entre [LS 04 Pin 12] et [LS 04 Pin 11] empêche le courant de remonter de Pin 11 vers Pin 12.
Parallèlement:
[R2] entre [LS 04 Pin 12] et [LS 04 Pin 11] permet au courant de remonter de Pin 11 vers Pin 12, mais en quantité limité.
En plus de cela:
[C2] Permet de maintenir une tension continue sur [LS 04 Pin 11] et en quantité limité sur [LS 04 Pin 12].
Le principe semble être identique avec le groupe [D1], [R1] et [C1].
[LS 04 Pin 9] et [LS 04 Pin 13] étant reliées au BUS MSX [Pin 4 SLTSL], il semblerait donc que le montage D1/R1/C1 et D2/R2/C2 soit la pour protéger SLTSL de remontés gastriques qui pourraient venir de [CAS#] et [RAS#] sur les DRAMS au travers de [LS 08].
Mode "J'dis p't'être des conneries, mais je crois que
" [OFF]
Edité par
igal
Le 15/05/2012 à 16h08
les diodes , résistances et capas forment ce qui s'apelle un circuit RC
pour amener un retard a l'application du signal , on charge un condensateur a travers une résistance
quand la valeur de niveau haut est atteinte on active la porte située derriére
la diode sert au contraire a repasser rapidement au niveau bas
donc en finalité ça sert a faire vivre les signaux /RAS et /CAS de la mémoire qui servent au rafraichissement des cases mémoire des DRAM
pour amener un retard a l'application du signal , on charge un condensateur a travers une résistance
quand la valeur de niveau haut est atteinte on active la porte située derriére
la diode sert au contraire a repasser rapidement au niveau bas
donc en finalité ça sert a faire vivre les signaux /RAS et /CAS de la mémoire qui servent au rafraichissement des cases mémoire des DRAM
En regardant les liens qui figurent dans la doc du MSX en kit, suis tombé sur ça ... et ça tombe bien car je vous ai lu cette nuit :
http://www.electronics-tutorials.ws/rc/rc_1.html
http://www.electronics-tutorials.ws/rc/rc_1.html
Philips.NMS.8245/50/80, Sony.F1XV/HBF-700D, Pana.FSA1FX/A1WX(x2)/A1GT, OCM, GR8BIT.... et ...
Jipe :
pour amener un retard a l'application du signal , on charge un condensateur a travers une résistance
quand la valeur de niveau haut est atteinte on active la porte située derriére
la diode sert au contraire a repasser rapidement au niveau bas
quand la valeur de niveau haut est atteinte on active la porte située derriére
la diode sert au contraire a repasser rapidement au niveau bas
D'après ce que tu dis et ce qu'il y a sur > CE SITE <, ça donnerait quelque chose de ce genre :
Et ça serait différent en TTL ( LS) ou CMOS (HC) à cause des seuils de tension pour passer du 0 au 1. J'ai bon ? Edité par GDX Le 17/05/2012 à 12h07
@GDX: Tu cherchais un Mapper S-RAM 4MB.
Il me semble que c'est ce qui est porposé ici => http://msx.gouget.com.br/?p=65
J'ai trouvé ça en fouinant pour mon Gradiente
Il me semble que c'est ce qui est porposé ici => http://msx.gouget.com.br/?p=65
J'ai trouvé ça en fouinant pour mon Gradiente
je me suis uniquement fié au photos du montage et pas au schéma du coup j'ai traduit le texte en brésilien
et surprise le mapper 4 Mo est décrit ( voir le texte en gras )
À ce poste, je présenterai un projet d'un mappeur avec SRAM.
Le but était de créer une extension de mémoire pour mon 2.0 HotBit nouvellement transformé, avec carte 80 colonnes de gradient, en utilisant le minimum de composants possible.
J'ai commencé à faire une analyse des différents types de mappeur diffusée sur internet. Tous, j'ai vu étaient à l'aide de puces DRAM ou bâtons de mémoire SIMM 30 broches. J'ai même certains de ces ici, mais la complexité du montage découragée moi.
Le Circuit
On va utiliser un comparateur de 8 bits pour l'écriture sur les portes FCh la FFh (74LS688). La sélection des banques de mémoire est stockée dans 74LS670.
Pour ce projet j'ai utilisé un 512 kB SRAM DIP 32 à effet tunnel. Puis par la logique nécessaire mise 2 x 74LS670, si vous souhaitez simplifier davantage, peut utiliser un SRAM 256 Ko et seulement un 670.
N'oubliez pas de mettre dans le circuit un condensateur (100 nF) surtout pour le découplage de la SRAM. J'ai remarqué que certaines instabilités avant ce changement.
Composants :
1 x 74LS688 – comparaison de 8 bits
2 x 74ls670 – 4 × 4 bits Registre
512 Ko x 1 x SRAM HM628512A, 8bits-684000, etc.
1 x Demutiplexador-décodeur 74LS138 – 3 × 8 bits (facultatif)
MISE À JOUR :
Avec ce circuit, il est possible de faire un mappeur de 4 MB. Pour cela, vous devez une légère modification. Mettre un décodeur 74LS138 (1,2 et 3 broches relié les broches 7 et 9 libre, 6 de 74LS670). Supprimer les 22 broches/SLTSL de SRAM et connecter les broches 4 et 5 (/ G2). Mettre la broche 6 (G1) au SCR. Appelez SRAM avec les lignes de données de 1 à 8, adresses, WR/RD et en parallèle. Sorties de la 74LS138 8 (Y0 à Y7) sélectionnera les souvenirs (chacun connecté à la broche 22 d'un SRAM).
Assemblée
Si l'idée était d'utiliser les composants plus simples possibles, donc j'ai opté pour monter dans une carte standard.
Ce week-end, nous avons eu la MSXRio en plein jour férié. Quand j'ai regardé mes composants, n'avait pas de fils pour les connexions. La solution était d'utiliser le fil téléphonique plus mince que possédait. Le résultat était cette formidable bricolage photo (ne pas jeter des pierres).
du coup j'ai traduit le texte en brésilienet surprise le mapper 4 Mo est décrit ( voir le texte en gras )
À ce poste, je présenterai un projet d'un mappeur avec SRAM.
Le but était de créer une extension de mémoire pour mon 2.0 HotBit nouvellement transformé, avec carte 80 colonnes de gradient, en utilisant le minimum de composants possible.
J'ai commencé à faire une analyse des différents types de mappeur diffusée sur internet. Tous, j'ai vu étaient à l'aide de puces DRAM ou bâtons de mémoire SIMM 30 broches. J'ai même certains de ces ici, mais la complexité du montage découragée moi.
Le Circuit
On va utiliser un comparateur de 8 bits pour l'écriture sur les portes FCh la FFh (74LS688). La sélection des banques de mémoire est stockée dans 74LS670.
Pour ce projet j'ai utilisé un 512 kB SRAM DIP 32 à effet tunnel. Puis par la logique nécessaire mise 2 x 74LS670, si vous souhaitez simplifier davantage, peut utiliser un SRAM 256 Ko et seulement un 670.
N'oubliez pas de mettre dans le circuit un condensateur (100 nF) surtout pour le découplage de la SRAM. J'ai remarqué que certaines instabilités avant ce changement.
Composants :
1 x 74LS688 – comparaison de 8 bits
2 x 74ls670 – 4 × 4 bits Registre
512 Ko x 1 x SRAM HM628512A, 8bits-684000, etc.
1 x Demutiplexador-décodeur 74LS138 – 3 × 8 bits (facultatif)
MISE À JOUR :
Avec ce circuit, il est possible de faire un mappeur de 4 MB. Pour cela, vous devez une légère modification. Mettre un décodeur 74LS138 (1,2 et 3 broches relié les broches 7 et 9 libre, 6 de 74LS670). Supprimer les 22 broches/SLTSL de SRAM et connecter les broches 4 et 5 (/ G2). Mettre la broche 6 (G1) au SCR. Appelez SRAM avec les lignes de données de 1 à 8, adresses, WR/RD et en parallèle. Sorties de la 74LS138 8 (Y0 à Y7) sélectionnera les souvenirs (chacun connecté à la broche 22 d'un SRAM).
Assemblée
Si l'idée était d'utiliser les composants plus simples possibles, donc j'ai opté pour monter dans une carte standard.
Ce week-end, nous avons eu la MSXRio en plein jour férié. Quand j'ai regardé mes composants, n'avait pas de fils pour les connexions. La solution était d'utiliser le fil téléphonique plus mince que possédait. Le résultat était cette formidable bricolage photo (ne pas jeter des pierres).
Autant pour moi...
Par défaut, il propose déjà S-RAM 512Ko.
Un peu plus bas, il propose d'aller jusqu'à 4MB. Il voulait dire 4Mb alors
Je reconnais avoir juste survolé et en voyant 4MB, j'ai de suite pensé à GDX ...
Par défaut, il propose déjà S-RAM 512Ko.
Un peu plus bas, il propose d'aller jusqu'à 4MB. Il voulait dire 4Mb alors
Je reconnais avoir juste survolé et en voyant 4MB, j'ai de suite pensé à GDX ...
En suivant les conseils de Jipe, le câblage sera présenté en trois fois.
Dissocier ces trois étapes donnera une meilleur visibilité sur la quantité de fils a croiser.
**************
ATTENTION:
La visualisation représente la face arrière du PCB.
L'implantation est donc en mode "Miroir".
Il suffit de reproduire simplement ce que vous voyer pour obtenir le bon câblage.
**************
1) +5V et GND:
2) A et D:
3) Les autres Signaux:
Edité par
igal
Le 14/07/2012 à 10h20
Dissocier ces trois étapes donnera une meilleur visibilité sur la quantité de fils a croiser.
**************
ATTENTION:
La visualisation représente la face arrière du PCB.
L'implantation est donc en mode "Miroir".
Il suffit de reproduire simplement ce que vous voyer pour obtenir le bon câblage.
**************
1) +5V et GND:
2) A et D:
3) Les autres Signaux:
Edité par
igal
Le 14/07/2012 à 10h20
Les trois étapes sont maintenant toutes dessinées (A et D uploadé au dessus )
La prochaine étape consiste à préparer les [2 RAMS 4M0 4Bit], il faut savoir reconnaître les RAMS compatibles.
Voici un extrait du tutoriel concernant l'uprgade 4Mo Interne des NMS8250/55 et 80.
********************************************************************************************
I) IDENTIFICATION DES RAMS:
Les RAMS doivent être montés sur des barrettes de Type EDO.
Les barettes EDO ont une CONNECTIQUE de 72 PINS.
Les RAMS se trouvant sur la BARRETTE EDO doivent comporter 24 PINS. Soit 2 Rangées de 2 Groupes de 6 PINS.
Les BARRETTES de Type EDO ont une capacité GLOBALE de 4, 8, 16, 32 ou 64 Mo.
Les RAMS doivent être d'une capacité de 4 Mo chacune.
NB: Pour déterminer la capacité de Chaque RAM, il faut procéder comme suit:
[la CAPACITE GLOBALE de la BARETTE EDO divisée par le NOMBRE de RAMS donne la CAPACITE de CHAQUE RAM]
Exemple: Une BARRETTE EDO de 32Mo ou l'on DENOMBRE 8 RAMS, contient OBLIGATOIREMENT 8 RAMS de 4Mo.
Il faut noter que certaines barettes peuvent avoir des RAMS en nombre Impaire. (Pour le Bit de Parité il me semble)
Il faudra donc Soustraire UNE RAM de la quantité vue sur la barette.
Exemple: Une Barette EDO de 30Mo ou l'on dénombre 9 Rams, contient obligatoirement 8 Rams de 4 Mo et une Ram pour la Parité.
Les RAMS doivent être compatibles avec une tension de 5 Volts.
Les RAMS de 70Ns fonctionnent très bien, autant ne pas s'en priver.
Voici une synthèse liste barrettes contenant des RAMS de 4 Mo et compatibles 5 Volts.
Voici la source => http://www.msxvillage.fr/forum/topic.php?id=926#m18837
Vous pourrez trouver le détails d'autres RAMS sur le site suivant dont la liste à été extraite:
http://www.bbele.com/service/d-ram.html pour le détail d'un grand nombre de BARRETTES EDO. (Merci à Jipe)
*****************************************************************************************
@ Jipe: La série 8250/55/80 ne posent pas problèmes particulier quant à la Grande vitesse des RAMS lors d'un Upgrade Interne.
Faut il se limiter sur la vitesse des RAMS pour un accès par le port cartouche?
Merci
Edité par
igal
Le 14/07/2012 à 10h36
)La prochaine étape consiste à préparer les [2 RAMS 4M0 4Bit], il faut savoir reconnaître les RAMS compatibles.
Voici un extrait du tutoriel concernant l'uprgade 4Mo Interne des NMS8250/55 et 80.
********************************************************************************************
I) IDENTIFICATION DES RAMS:
Les RAMS doivent être montés sur des barrettes de Type EDO.
Les barettes EDO ont une CONNECTIQUE de 72 PINS.
Les RAMS se trouvant sur la BARRETTE EDO doivent comporter 24 PINS. Soit 2 Rangées de 2 Groupes de 6 PINS.
Les BARRETTES de Type EDO ont une capacité GLOBALE de 4, 8, 16, 32 ou 64 Mo.
Les RAMS doivent être d'une capacité de 4 Mo chacune.
NB: Pour déterminer la capacité de Chaque RAM, il faut procéder comme suit:
[la CAPACITE GLOBALE de la BARETTE EDO divisée par le NOMBRE de RAMS donne la CAPACITE de CHAQUE RAM]
Exemple: Une BARRETTE EDO de 32Mo ou l'on DENOMBRE 8 RAMS, contient OBLIGATOIREMENT 8 RAMS de 4Mo.
Il faut noter que certaines barettes peuvent avoir des RAMS en nombre Impaire. (Pour le Bit de Parité il me semble)
Il faudra donc Soustraire UNE RAM de la quantité vue sur la barette.
Exemple: Une Barette EDO de 30Mo ou l'on dénombre 9 Rams, contient obligatoirement 8 Rams de 4 Mo et une Ram pour la Parité.
Les RAMS doivent être compatibles avec une tension de 5 Volts.
Les RAMS de 70Ns fonctionnent très bien, autant ne pas s'en priver.
Voici une synthèse liste barrettes contenant des RAMS de 4 Mo et compatibles 5 Volts.
Voici la source => http://www.msxvillage.fr/forum/topic.php?id=926#m18837
Code TEXT :
D-RAM ******************** 64M (4M*16) KM416C4000 5V SAM KM416C4100 5V SAM ******************** 16M (4M*4) HM5117400 5V HITACHI TC5117400 5V TOSHIBA UPD4217405 5V,3.3V NEC UPD42S17405 5V,3.3V NEC M5M417400 5V MITSUBISHI MSM5117400 5V OKI MN4117400 5V MATSUSHITA MN4217400 5V MATSUSHITA HY517400 5V HYUNDAI HY5117400 5V HYUNDAI HY517410 5V HYUNDAI HY5117410 5V HYUNDAI GM71C17400 5V LG SEMICON MT4C4M4B1 5V MICRON KM44C4100 5V SAMSUNG KM44C4102 5V SAMSUNG KM44C4104 5V SAMSUNG KM44C4110 5V SAMSUNG TMS417400 5V TI ******************** 16M (4M*4)EDO HM5117405 5V HITACHI M5M417405 5V MITSUBISHI MSM5117405 5V OKI MN4117405 5V MATSUSHITA HY5117404 5V HYUNDAI TMS417409 5V TI ******************** 16M (4M*4) HM5116400 5V HITACHI HM5116402 5V HITACHI HM5116410 5V HITACHI HM5116412 5V HITACHI HM5117400 5V HITACHI HM5116405 5V HITACHI TC5116400 5V TOSHIBA TC5117400 5V TOSHIBA TC5117402 5V TOSHIBA UPD4216400 5V,3.3V NEC UPD4216405 5V,3.3V NEC UPD4217400 5V,3.3V NEC UPD42S16400 5V,3.3V NEC UPD42S17400 5V,3.3V NEC M5M416400 5V MITSUBISHI M5M417400 5V MITSUBISHI MSM5116400 5V OKI MSM51V16405 5V OKI MN4116400 5V MATSUSITA MN4216400 5V MATSUSITA HY5116400 5V HYUNDAI HY516400 5V HYUNDAI HY5116410 5V HYUNDAI HY516410 5V HYUNDAI HY5116404 5V HYUNDAI GM71C16400 5V LG SEMICON MT4C4M4A1 5V MICRON KM44C4000 5V SAMSUNG KM44C4002 5V SAMSUNG KM44C4004 5V SAMSUNG KM44C4010 5V SAMSUNG KM44C4100 5V SAMSUNG KM44C4102 5V SAMSUNG KM44C4110 5V SAMSUNG TMS416400 5V TI TMS416409 5V TI ******************** 16M (4M*4)EDO HM5116405 5V HITACHI UPD42S16405 5V NEC M5M416405 5V MITSUBISHI MSM5116405 5V OKI HY5116404 5V HYUNDAI TMS416409 5V TI ******************** 16M (4M*4) KM416C1204 5V SAMSUNG KM44C4003 5V SAMSUNG KM44C4103 5V SAMSUNG ******************** 4M (4M*1) HM514100 5V HITACHI HM514101 5V HITACHI HM514102 5V HITACHI TC514100 5V TOSHIBA TC514101 5V TOSHIBA TC514102 5V TOSHIBA U42S4100 5V,3.3V NEC U424100 5V NEC U424101 5V NEC U424102 5V NEC UPD424100 5V NEC UPD424101 5V NEC UPD424102 5V NEC MB814100 5V FUJITSU MB814101 5V FUJITSU M5M44100 5V MITSUBISHI M5M44101 5V MITSUBISHI M5M44102 5V MITSUBISHI MSM514100 5V OKI MSM514101 5V OKI MSM514102 5V OKI MN41C4000 5V MATSUSHITA MN41C4002 5V MATSUSHITA MN414100 5V MATSUSHITA MN424100 5V MATSUSHITA HY514100 5V HYUNDAI GM71C4100 5V LG SEMICON MT4C1004 5V MICRON MT4C1006 5V MICRON MT4C4004 5V MICRON MT4C4005 5V MICRON MT4C4006 5V MICRON MCM4L4100 5V MOTOROLA MCM44100 5V MOTOROLA MCM5L4100 5V MOTOROLA MCM51L4100 5V MOTOROLA MCM54100 5V MOTOROLA MCM54101 5V MOTOROLA MCM54102 5V MOTOROLA KM41C4000 5V SAMSUNG KM41C4001 5V SAMSUNG KM41C4002 5V SAMSUNG KM44C1000 5V SAMSUNG TMS44100 5V TI ******************** 1M (64K*16) HM511664 5V HITACHI HM511665 5V HITACHI HM511666 5V HITACHI TC511664 5V TOSHIBA TC511665 5V TOSHIBA UPD421660 5V NEC UPD421664 5V NEC UPD421665 5V NEC M5M411664 5V MITSUBISHI MSM511664 5V OKI MSM511665 5V OKI LC321664 5V SANYO ********************
Vous pourrez trouver le détails d'autres RAMS sur le site suivant dont la liste à été extraite:
http://www.bbele.com/service/d-ram.html pour le détail d'un grand nombre de BARRETTES EDO. (Merci à Jipe)
*****************************************************************************************
@ Jipe: La série 8250/55/80 ne posent pas problèmes particulier quant à la Grande vitesse des RAMS lors d'un Upgrade Interne.
Faut il se limiter sur la vitesse des RAMS pour un accès par le port cartouche?
Merci
Edité par
igal
Le 14/07/2012 à 10h36
d'abord un point sur le calcul de la taille des barrettes
le bus msx est sur 8 bits et les mémoires sur 4bits
il faut donc 2 mémoires 4 bits pour faire 4Mo
2=4Mo
4=8Mo
8=16Mo
16=32Mo
pour la vitesse de rams j'ai fait dans le temps un mapper 4096k externe avec une barette Simm et certains modéles ne fonctionnaient pas alors que d'autres oui
vitesses testées 60ns 70ns 80ns
le bus msx est sur 8 bits et les mémoires sur 4bits
il faut donc 2 mémoires 4 bits pour faire 4Mo
2=4Mo
4=8Mo
8=16Mo
16=32Mo
pour la vitesse de rams j'ai fait dans le temps un mapper 4096k externe avec une barette Simm et certains modéles ne fonctionnaient pas alors que d'autres oui
vitesses testées 60ns 70ns 80ns
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